东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO: 6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)，该二极管将该公司现有产品所提供的正向浪涌电流(I_FSM)提高了约70%。新系列八款碳化硅肖特基势垒二极管出货即日启动。

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这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用东芝的第二代碳化硅工艺制造，与第一代产品相比，正向浪涌电流提高了约70%，同时开关损耗指标“R_ON * Qc” ^[1]降低了大约30%，这使它们适合应用于高效功率因数校正(PFC)方案中。 

这些新产品提供4A、6A、8A和10A 4种额定电流，支持非隔离型“TO-220-2L”封装或隔离型“TO-220F-2L”封装。这些产品有助于提高4K大屏幕液晶电视、投影机和多功能复印机等装置以及通信基站和电脑服务器等工业设备的电源效率。

注
[1] R_ON：阴阳极导通电阻，Qc：总电容电荷

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东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）
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东芝：具备更高正向浪涌电流的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管（照片：美国商业资讯）