日本大阪--(美国商业资讯)--松下电器半导体有限公司(“PSCS”,总部:日本京都府长冈京市;总裁: Kazuhiro Koyama)已与联华电子公司(“UMC”,总部:台湾新竹市;首席执行官:颜博文)达成一项协议,双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式存储器(ReRAM)[1]的批量生产工艺。 ReRAM与目前广泛应用的闪存[2]十分相似,是一种非易失性存储器[3]。该器件结构简单,具有高速处理和低功耗的特点。2013年,PSCS启动了ReRAM的批量生产,当时采用的是180nm工艺,目前公司面向便携式医疗设备等低功耗应用提供8位单片机MN101LR系列。之前,PSCS是首家利用40nm工艺测试和验证存储器阵列的高可靠性的公司。 双方商定的合作项目将实现PSCS 40nm ReRAM工艺技术与UMC高可靠性CMOS工艺技术的整合。随着嵌入式存储器逐渐替代闪存,该合作项目将铸就一个适用于各种系统器件的ReRAM工艺平台,例如,广泛应用于IC卡、可穿戴式终端和物联网设备的系统器件。 PSCS将于2018年交付采用新的40nm工艺的样品,届时,其将成为业界首家启动批量生产的公司。PSCS和UMC将为世界各地的其他半导体制造商和供应商提供双方联合开发的ReRAM工艺平台。 谈到这一合作项目时,PSCS总裁Kazuhiro Koyama表示:“PSCS已在业界率先启动ReRAM的批量生产,而扩展的工艺平台的开发将加速ReRAM的市场占有率,从而有效地帮助公司提供广泛的最佳产品来满足客户需求。” UMC高级副总裁S.C. Chien说:“我们非常高兴与松下达成这一代工协议。我们40nm工艺业已证实的可靠性、快速周转时间以及高产量将为松下的ReRAM带来新的竞争力。随着该产品获得广泛的市场接受度,该工艺将使双方实现共赢。我们期待与松下合作,帮助他们实现40nm ReRAM的批量生产。”
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松下与联华电子公司合作开发新一代可变电阻式存储器批量生产工艺
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