- π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音优点 -

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。

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π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计，与现有的π-MOS VII系列相比，其EMI噪声峰值低5dB^[1]，同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度，因此有助于减小设计工作量。此外，π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的MOSFET。

东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件，以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。

应用场合

• 笔记本电脑AC适配器和游戏机充电器的中小型开关电源
• 照明电源

特点

• 兼具高效率和低噪音优点
• 额定雪崩电流和额定直流电流相等

注：
[1] TK10A60D与TK750A60F相比较（200MHz地区的65W笔记本电脑适配器）

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东芝电子元件及存储装置株式会社：600V平面MOSFET新系列“π-MOS IX”（照片：美国商业资讯）