东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。

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100V的最大漏源极电压(V_DSS)可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高静电放电抗扰度为这一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。

应用场合

• 汽车LED前照灯驱动器

特点

• 小型封装
• 高效静电放电保护
• 低R_DS(ON)

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东芝：搭载高效静电放电保护的双MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。（照片：美国商业资讯）

东芝：双MOSFET“SSM6N813R”标记电路和等效电路（图示：美国商业资讯）