- 新封装提供双面散热，有效改善散热。

东京--(美国商业资讯)--八月，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。

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这些新产品在“DSOP Advance”(WF)封装中安装U-MOS IX-H系列芯片——采用最先进沟槽结构的MOSFET，实现高散热性和低导通电阻特性。导通损耗所产生的热量得到有效消散，因此散热设计灵活性得到提高。

与东芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列还实现了更小的开关噪声，有助于降低电磁干扰(EMI)^[1]。
“DSOP Advance(WF)”封装采用可沾锡侧翼端子结构^[2]。

应用场合
- 电动助力转向系统
- 负载开关
- 电动泵

特点
- 符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用场合
- 采用顶板(top plate)^[3]和漏极的双面散热封装
- 可沾锡侧翼结构有助于提高AOI可见性
- U-MOS IX-H系列具备低导通电阻和低噪音特性

注：
[1] EMI（电磁干扰）
[2] 可沾锡侧翼端子结构：一种端子结构，支持在电路板上进行安装的自动光学检测(AOI)。
[3] 请注意，该顶板与源极电势相同，但不能用于电极。

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东芝：面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET“TPWR7904PB”，其采用双面散热的新封装，可有效改善散热。（照片：美国商业资讯）