--推出最大容量BiCS FLASH芯片,扩大产品阵容-- 东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日推出一款最新产品,扩大其行业领先的BiCS FLASH™三维堆叠式结构*1闪存的产品阵容,该64层闪存设备采用3位元(三阶存储单元,TLC)技术,容量达512千兆比特(64GB)。该新设备适用于企业级和消费级SSD等应用。芯片样品发货将于本月启动,批量生产预计将于今年下半年启动。
东芝将继续完善BiCS FLASH™,公司发展蓝图的下一里程碑是业界最大容量*2的1TB产品,该产品在单一封装中使用16颗粒堆叠式结构。其样品发货计划于2017年4月启动。
东芝在新的512千兆比特设备中采用了领先的64层层叠工艺,与48层256千兆比特(32GB)设备相比,新工艺使每单元芯片尺寸容量提高65%,并提高了每个硅晶片的内存容量,同时降低了位存储成本。
东芝闪存业务已大批量生产64层256千兆比特(32GB)设备并将扩大BiCS FLASH™的生产。其将推动3D技术发展,来提高存储密度和优化工艺,以满足多元化的市场需求。
关于东芝
原文版本可在businesswire.com上查阅:http://www.businesswire.com/news/home/20170221006863/en/
免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。
联系方式:
东芝公司 |
东芝启动64层512千兆比特3D闪存的样品发货
文章导读:--推出最大容量BiCS FLASH芯片,扩大产品阵容-- 东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日推出一款最新产品,扩大其行
- 东芝扩大符合eMMC 5.1标准的工业级嵌入式NAND闪存产品阵容 2016-12-28
- 东芝扩大面向汽车应用的嵌入式NAND闪存的产品阵容 2016-12-28
- 东芝面向移动设备高速接口的新型低电容瞬态抑制二极管提供业界领先的保护性能2017-01-12
- 东芝面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET2017-01-12
- 东芝推出具备更高正向浪涌电流的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管2017-01-13